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[发明专利]快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法-CN202310549237.4在审
发明人：曹昆;姜然;查钢强;李颖锐;刘佳虎;刘宇 -专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法。该快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法包括以下步骤：S1、CdZnTe生长源的预处理，选择合格的CdZnTe生长源，并对CdZnTe生长源进行预处理动作；S2、CdZnTe薄膜的生长，设置生长参数在衬底上进行生长动作；S3、CdZnTe薄膜的划片处理，将经过所述步骤S2生长后的CdZnTe薄膜经行划片处理；S4、CdZnTe薄膜退火，将经过划片处理的CdZnTe薄膜进行退火处理；S5、探测器制备，其中，本发明通过各个步骤的配合优化了金半接触特性，减少了生长时间，获得了光响应特性优异的CdZnTe成像探测器。
快速退火制备性能 cdznte 射线探测器方法

[发明专利]一种柱状结构CdZnTe薄膜的制备方法-CN201310280052.4无效
发明人：王林军;王君楠;黄健;姚蓓玲;唐可;朱悦;张凯勋;陶骏;沈心蔚 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种柱状结构CdZnTe薄膜及其制备方法，本方法包括如下步骤：（a）CdZnTe单晶升华源的准备；（b）衬底预处理；（c）CdZnTe薄膜生长；（d）CdZnTe薄膜抛光、腐蚀及退火；制得的柱状结构的CdZnTe薄膜厚度为100~500mm。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。本发明制备的柱状CdZnTe薄膜相比常规的CdZnTe薄膜，具有更少的晶界缺陷和更好的电阻率，电阻率最高可达6×109Ω·cm。
一种柱状结构 cdznte 薄膜制备方法

[发明专利]CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用-CN201711281101.0有效
发明人：沈悦;徐宇豪;张宗坤;顾峰;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
cdznte 薄膜 aln 紫外光探测器制备方法应用

[发明专利]新型结构的CdZnTe探测器的制备方法-CN202310561567.5在审
发明人：曹昆;刘佳虎;查钢强;李颖锐;姜然;刘宇 -专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了新型结构的CdZnTe探测器的制备方法。该新型结构的CdZnTe探测器的制备方法包括以下步骤：S1、衬底预处理，对GaAs衬底进行预处理；S2、CdZnTe多晶源预处理，对CdZnTe多晶源进行预处理；S3、CdZnTe膜的生长程序的设置，对CdZnTe膜生长温度和时间参数设置；S4、CdZnTe膜生长，采用多晶源Cd0.9‑0.8Zn0.1‑0.2Te，对CdZnTe膜进行生长处理；S5、CdZnTe阻挡层的生长程序的设置，对CdZnTe阻挡层生长温度和时间参数进行设置；S6、CdZnTe阻挡层生长，采用多晶源Cd0.8‑0.5Zn0.2‑0.5Te，对CdZnTe阻挡层进行生长处理；S7、CdZnTe探测器的制备，本发明的新型结构的CdZnTe探测器的制备方法通过各个步骤的相互配合
新型结构 cdznte 探测器制备方法

[发明专利]含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法-CN201510365436.5在审
发明人：王林军;张月璐;陈梦斐;于鸿泽;孟华;陶骏;黄健;徐闰;张继军 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法，基于近空间升华方法，通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后，采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层，从而获得CdZnTe本发明CdZnTe光电探测器中增加石墨烯过渡层是一种新型光电探测器结构，有效地避免CdZnTe表面受环境影响，去除CdZnTe表面的杂质和缺陷，提高CdZnTe结晶质量，明显改善CdZnTe与Au电极之间的界面接触本发明方法具有工艺简单，成本更低，可重复性高，扩大了CdZnTe在光电探测器中的应用范围。
含有石墨过渡 cdznte 光电探测器及其制备方法

[发明专利]近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法-CN202310548688.6在审
发明人：曹昆;刘宇;查钢强;李颖锐;姜然;刘佳虎 -专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供了近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法。该近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法包括以下步骤：S1、CdZnTe晶锭切割，选取CdZnTe晶锭，并将所述CdZnTe晶锭切割成标准厚度的圆片；S2、CdZnTe生长源打磨；S3、CdZnTe生长源清洗腐蚀，对CdZnTe生长源依次进行清洗腐蚀动作；S4、预蒸发程序设置；S5、预蒸发；S6、超声清洗；S7、外延膜生长。相较于CdZnTe多晶膜，CdZnTe外延单晶膜没有晶界，因而具有更好的载流子输运性能，光电性能提高，能谱性能提高。
空间升华 cdznte 生长处理方法

[发明专利]具有ZnTe过渡层的GaN-CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法-CN201811264136.8有效
发明人：沈悦;孙佳豪;徐宇豪;顾峰;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有ZnTe过渡层的GaN‑CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法，基于GaN/ZnTe基底生长CdZnTe薄膜并制备GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器，本发明提供的GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、ZnTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在GaN/ZnTe衬底上快速生长大面积、高质量CdZnTe薄膜，GaN/ZnTe衬底可以保证GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应
具有 znte 过渡 gan cdznte 复合结构组件应用及其制备方法

[发明专利]CdZnTe/CdTe/AlN复合结构、日盲区紫外探测器件和其制备方法-CN202010898530.8在审
发明人：沈悦;陈日志;李柝时;温丹丹;顾峰;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种提供CdZnTe/CdTe/AlN复合结构、日盲区紫外探测器和其制备方法，其外延层包括由下至上依次设置的p型AlN衬底、CdTe过渡层和n型CdZnTe膜，所述p型AlN衬底上引出p型欧姆电极，所述n型CdZnTe膜上引出n型欧姆电极。本发明提供的CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、CdTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器的电极制作4本发明方法能在CdTe/AlN衬底上快速生长大面积、低缺陷浓度的CdZnTe薄膜，CdTe/AlN衬底能保证CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的CdZnTe/CdTe
cdznte cdte aln 复合结构盲区紫外探测器件制备方法

[发明专利]提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法-CN202110852294.0有效
发明人：万鑫;查钢强;李阳;曹昆;刘雅洁;魏鹤鸣;李颖锐 -专利权人：西北工业大学;西北工业大学青岛研究院
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法，基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p‑GaAs/Au探测器，与退火之前相比，CdZnTe外延膜的电阻率明显提高，探测器对241Am@5.49MeVα粒子响应更加灵敏本发明提供的改性方法包括衬底的预处理、CdZnTe外延膜的生长过程、CdZnTe外延膜的退火过程及辐射探测器的制备。
提高 cdznte 探测器性能 gaas 外延制备方法

[发明专利]高探测效率自支撑CdZnTe厚膜结构、探测器件及其制备方法和应用-CN202110658831.8在审
发明人：沈悦;李柝时;温丹丹;陈日志;顾峰;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高探测效率自支撑CdZnTe厚膜结构、探测器件及其制备方法和应用。本发明提供的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器制备方法包括衬底预处理、CdZnTe膜的生长过程、CdZnTe膜的剥离过程、自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器的电极制作四个主要步骤。本发明方法通过在一种高热导率的单晶膜基底上生长CdZnTe厚膜，基底的高热导率能促进CZT晶粒的形核，进而获得大面积、低缺陷浓度的CdZnTe厚膜，所制得的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽玛射线探测器具备十分优异的高能辐射探测特性
探测效率支撑 cdznte 膜结构器件及其制备方法应用

[发明专利]条形电极结构的电流型CdZnTe探测器及其制备方法-CN202110284481.3在审
发明人：徐亚东;杨皓;王子健;张鑫;孙晗 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L31/117 文献下载
摘要：本发明提供了一种条形电极结构的电流型CdZnTe探测器及其制备方法，解决现有CdZnTe探测器对脉冲X射线存在响应速度慢、响应幅值低的问题。该电流型CdZnTe探测器以CdZnTe晶体为基底，基底的两个表面上分别设置条形电极和平面电极，且基底裸露表面均进行氧化处理；条形电极和平面电极均与CdZnTe晶体形成欧姆接触。
条形电极结构电流 cdznte 探测器及其制备方法

[实用新型]碲锌镉半导体材料的欧姆电极-CN00249702.6无效
发明人：裴慧元;方家熊 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2000-10-19 - 公布日： 2001-10-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种碲锌镉(CdZnTe)半导体材料的欧姆电极，包括CdZnTe材料，金属电极层，电极引线。其特征是电极层是一层复合金属层，由铜－银层和金层组成。由于铜－银层中的铜更容易与CdZnTe形成欧姆接触，银则与CdZnTe之间有较好的附着力。因此，采用铜－银作为与CdZnTe相接触的第一层金属层，使欧姆电极与CdZnTe附着力强，电极大小可控制，重复性好，所测得的Ⅰ—Ⅴ曲线具有良好的线性，比接触电阻为2.0×10－3Ω·cm2。
碲锌镉半导体材料欧姆电极

[发明专利]用于X射线成像的大面积CdZnTe单晶制备方法-CN201910003032.X在审
发明人：查钢强;吴思红;付京华;曹昆;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于X射线成像的大面积CdZnTe单晶制备方法，用于解决现有CdZnTe单晶制备方法难以生长大面积的CdZnTe单晶的技术问题。技术方案是将生长的CdZnTe多晶锭切片作为升华源，将GaAs(100)衬底经过化学腐蚀、超声清洗，再升华源与GaAs(100)衬底放入生长腔室，调整好升华源与GaAs(100)衬底之间的距离，关闭炉门，对生长腔室抽真空并保持真空度，缓慢升温到设定温度，每生长一段时间即降温到一定温度保温一段时间，生长结束后缓慢降温，再自然冷却，得到CdZnTe单晶，将生长好的CdZnTe晶体经过处理后叠层生长，得到高质量的大面积CdZnTe单晶。
生长单晶制备升华源衬底单晶生长腔室超声清洗化学腐蚀缓慢降温缓慢升温抽真空多晶锭叠层放入炉门切片保温

[发明专利]具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法-CN201610175610.4有效
发明人：王林军;季欢欢;杨瑾;黄健;吴杨琳;周家伟;沈意斌;张继军 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-03-26 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。
具有缓冲 cdznte 薄膜光电探测器制备方法

[发明专利]移动加热器法(THM)生长的CdMnTe晶体欧姆结构器件的制备方法-CN201310507778.7无效
发明人：王林军;沈萍;张继军;沈敏;吴文其;周捷;姚蓓玲;唐可;黄健 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种移动加热器法（THM）生长的CdZnTe晶体欧姆结构器件的制备方法，属于辐射探测器材料及其器件制造工艺技术领域，本发明是采用移动加热器法制备CdZnTe晶体，并将CdZnTe晶体进行切片、倒角、磨片、抛光和腐蚀等后期工艺，最后在CdZnTe晶体上表面采用蒸镀或溅射方法制备100~300nm厚的金电极，为制作CdZnTe晶体欧姆结构器件提供了一种新的方法，也为最后制作CdZnTe探测器奠定基础本发明的特点在于：采用移动加热器法制备单晶率高、尺寸大、晶体缺陷少、电阻率高的CdZnTe晶体样品。
移动加热器 thm 生长 cdmnte 晶体欧姆结构器件制备方法

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